Каталог на русском english
Всего результатов: 913 Если применить фильтр:
913
  • Производитель
  • Полярность транзистора
  • Id - непрерывный ток утечки
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток
  • Технология
  • Усиление
  • Выходная мощность
  • Максимальная рабочая температура
  • Вид монтажа
  • Упаковка / блок
  • Упаковка
Сбросить все фильтры
применить фильтры
Изобр. Партномер Производитель Описание Data-sheet Полярность транзистора Id - непрерывный ток утечки Vds - напряжение пробоя сток-исток Rds Вкл - сопротивление сток-исток Технология Усиление Выходная мощность Максимальная рабочая температура Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
Microsemi РЧ МОП-транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor Si
Microsemi РЧ МОП-транзисторы Si
Microsemi РЧ МОП-транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor Si
Microsemi РЧ МОП-транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor Si
Microsemi РЧ МОП-транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor Si
Microsemi РЧ МОП-транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor Si
Microsemi РЧ МОП-транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor Si
Microsemi РЧ МОП-транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor Si
Toshiba РЧ МОП-транзисторы P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V P-Channel - 200 mA - 60 V 1.3 Ohms Si SMD/SMT SOT-346 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V N-Channel 200 mA 30 V 1.2 Ohms Si + 150 C SMD/SMT SOT-346 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS N-Channel 1 A 30 V Si 14.9 dB 630 mW SMD/SMT PW-Mini-3 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS N-Channel 5 A 30 V Si 11.7 dB 7.5 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS N-Channel 500 mA 10 V Si 8 dB SMD/SMT PW-Mini-3 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS N-Channel 3 A 10 V Si 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS N-Channel 1 A 20 V Si 14.9 dB 630 mW SMD/SMT PW-Mini-3 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS N-Channel 3 A 20 V Si 11.4 dB 7 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS N-Channel 1 A 7.5 V Si 12 dB SMD/SMT PW-Mini-3 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS N-Channel 3 A 12 V Si 11.5 dB SMD/SMT PW-X-4 Reel
ON Semiconductor РЧ МОП-транзисторы NCH DUAL GATE MOS FET Si Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V N-Channel 30 mA 12.5 V Si 22.5 dB SMD/SMT SOT-24 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 N-Channel 30 mA 12.5 V Si 26 dB + 125 C SMD/SMT SMQ-4 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V N-Channel 30 mA 12.5 V Si 22.5 dB SMD/SMT SOT-343 Reel
Toshiba РЧ МОП-транзисторы RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 N-Channel 30 mA 12.5 V Si 26 dB + 125 C SMD/SMT USQ-4 Reel
NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POWER AMPLIFIER 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V Si Reel
NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 710-960 MHz, 160 W Avg., 28 V Si Reel
NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V Si Reel
NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg, 48 V N-Channel 64 mA - 500 mV, + 105 V Si 19.1 dB 2 W + 150 C SMD/SMT PQFN-24
NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 716-960 MHz, 93 W AVG, 28 V N-Channel 2.7 A - 500 mV, + 70 V Si 17.9 dB 93 W + 150 C SMD/SMT OM-1230-4L2S-7 Reel
NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V Si Reel
NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V Si Reel