Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - подбор поставщиков

Каталог на русском english
Всего результатов: 1827 Если применить фильтр:
1827
  • Производитель
  • Конфигурация
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C
  • Ток утечки затвор-эмиттер
  • Pd - рассеивание мощности
  • Вид монтажа
  • Упаковка / блок
  • Максимальная рабочая температура
  • Упаковка
Сбросить все фильтры
применить фильтры
Изобр. Партномер Производитель Описание Data-sheet Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Максимальная рабочая температура Упаковка
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single Through Hole TO-247-3 Tube
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi Single 600 V 1.5 V 30 V 229 A 600 nA 625 W Through Hole TO-264-3 + 175 C
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi Tube
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi Single 1.2 kV 3.2 V 30 V 36 A 480 nA 250 W Through Hole TO-247-3 + 150 C
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single Through Hole TO-247-3 Tube
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single